FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
НОВА часть #:
312-2285560-FDMA86265P
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMA86265P
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 1A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-MicroFET (2x2) | |
| Базовый номер продукта | FDMA86265 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-WDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 210 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta) | |
| Другие имена | FDMA86265PCT FDMA86265PDKR 1990-FDMA86265PCT 1990-FDMA86265PTR FDMA86265PTR 1990-FDMA86265PDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDG1024NZonsemi
NCV4266ST50T3Gonsemi
NLAS4599DFT2Gonsemi- FSA4157P6Xonsemi
NVMFS5C673NLAFT1Gonsemi
NTJD1155LT1Gonsemi- NCS2561SQT1Gonsemi
FDMA86251onsemi- NTJD4152PT1Gonsemi
NLAS3158MNR2Gonsemi- FDG6317NZonsemi
ZXMP6A17E6TADiodes Incorporated- NTJD4001NT1Gonsemi
NCV303LSN27T1Gonsemi
FDMC86262Ponsemi
