PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
НОВА часть #:
312-2284006-PMV450ENEAR
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV450ENEAR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 800mA (Ta) 323mW (Ta), 554mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | PMV450 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 800mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 101 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 323mW (Ta), 554mW (Tc) | |
| Другие имена | 1727-2532-2 568-12971-2-ND 1727-2532-1 568-12971-1-ND 568-12971-1 1727-2532-6 934068702215 568-62971-6 568-12971-6-ND 568-62971-6-ND PMV450ENEAR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- DMN67D8L-7Diodes Incorporated
- STN1NF20STMicroelectronics
- BAV3004WS-7Diodes Incorporated
- PMV164ENEARNexperia USA Inc.
- RSF015N06FRATLRohm Semiconductor
- MRA4007T3Gonsemi
- PMV250EPEARNexperia USA Inc.
- SML-D13FWT86CRohm Semiconductor








