PMPB11EN,115
MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
НОВА часть #:
312-2282201-PMPB11EN,115
Производитель:
Номер детали производителя:
PMPB11EN,115
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN2020MD-6 | |
| Базовый номер продукта | PMPB11 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-UDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 840 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Другие имена | PMPB11EN,115-ND 568-10450-6-ND 568-10450-2-ND 568-10450-1-ND 568-10450-2 568-10450-1 568-10450-6 1727-1244-2 1727-1244-6 NEXNEXPMPB11EN,115 934066621115 1727-1244-1 2156-PMPB11EN,115-NEX |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- CSD17585F5Texas Instruments
- SIA436DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- EM6K7T2CRRohm Semiconductor
- PMEG2015EPK,315NXP USA Inc.
- EM6M2T2RRohm Semiconductor
- ADP3120AJCPZ-RLonsemi





