BSC011N03LSATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC011
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	37A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4700 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Другие имена	BSC011N03LSATMA1DKR BSC011N03LSDKR-ND BSC011N03LSATMA1CT BSC011N03LSDKR BSC011N03LSATMA1TR BSC011N03LSTR SP000799082 BSC011N03LS BSC011N03LSTR-ND BSC011N03LSCT-ND BSC011N03LSCT