SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
НОВА часть #:
312-2264608-SSM3J56ACT,L3F
Производитель:
Номер детали производителя:
SSM3J56ACT,L3F
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | CST3 | |
| Базовый номер продукта | SSM3J56 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-101, SOT-883 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 100 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | SSM3J56ACTL3FDKR SSM3J56ACTL3FTR SSM3J56ACTL3FCT SSM3J56ACT,L3F(T SSM3J56ACT,L3F(B |
In stock Нужно больше?
0,16930 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM3K56ACT,L3FToshiba Semiconductor and Storage- SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and Storage
MBRM110LT1Gonsemi
PMZ350UPEYLNexperia USA Inc.
RV2C010UNT2LRohm Semiconductor
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and Storage
A7005CGHN1/T1AGBFJNXP USA Inc.
NX3008PBKMB,315NXP USA Inc.
ESP32-PICO-D4Espressif Systems
