SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
НОВА часть #:
312-2283890-SCTH90N65G2V-7
Производитель:
Номер детали производителя:
SCTH90N65G2V-7
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2PAK-7 | |
| Базовый номер продукта | SCTH90 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +22V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3300 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 330W (Tc) | |
| Другие имена | 497-18352-6 497-18352-2 497-18352-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQD2P40TMonsemi
DZT5551-13Diodes Incorporated
RB500VM-40TE-17Rohm Semiconductor
NTBG015N065SC1onsemi
IPB017N10N5ATMA1Infineon Technologies
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronics
C3M0120065JWolfspeed, Inc.
5029Adafruit Industries LLC- C3M0060065JWolfspeed, Inc.
