IPD30N06S2L23ATMA1

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
НОВА часть #:
312-2333806-IPD30N06S2L23ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD30N06S2L23ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительInfineon Technologies
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-11
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядOptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)55 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1091 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
Другие именаINFINFIPD30N06S2L23ATMA1
IPD30N06S2L-23CT-ND
IPD30N06S2L-23
IPD30N06S2L-23DKR
IPD30N06S2L-23TR-ND
IPD30N06S2L23ATMA1TR
SP000252168
IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L23
IPD30N06S2L-23DKR-ND
IPD30N06S2L23ATMA1DKR
IPD30N06S2L-23-ND
IPD30N06S2L23ATMA1CT
2156-IPD30N06S2L23ATMA1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!