IRF40R207

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IRF40R207
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®, StrongIRFET™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	56A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.9V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2110 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)
Другие имена	IRF40R207CT SP001564382 IRF40R207DKR IRF40R207TR IRF40R207-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!