GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
НОВА часть #:
312-2277409-GPI65008DF56
Производитель:
Номер детали производителя:
GPI65008DF56
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 8A - Surface Mount Die
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GaNPower | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Die | |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 3.5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | Die | |
| VGS (макс.) | +7.5V, -12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 63 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - | |
| Другие имена | 4025-GPI65008DF56TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
GPIHV30SB5LGaNPower
GPI65030DFNGaNPower- GPI65060DFNGaNPower
GPI65015TOGaNPower
GPI65010DF56GaNPower- GPI65005DFGaNPower
- GPI65015DFNGaNPower