SIHJ690N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2290373-SIHJ690N60E-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHJ690N60E-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Базовый номер продукта | SIHJ690 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | E | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 347 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 48W (Tc) | |
| Другие имена | SIHJ690N60E-T1-GE3CT SIHJ690N60E-T1-GE3DKR SIHJ690N60E-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL10N60M6STMicroelectronics