IPA60R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
НОВА часть #:
312-2291671-IPA60R650CEXKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPA60R650CEXKSA1
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220-FP | |
| Базовый номер продукта | IPA60R650 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ CE | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 200µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 440 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 28W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-IPA60R650CEXKSA1 SP001276044 ROCINFIPA60R650CEXKSA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBT2907A-7-FDiodes Incorporated
US3M-13Diodes Incorporated
STF16N90K5STMicroelectronics
SZMMSZ15ET1Gonsemi
IRF200P223Infineon Technologies
