PMCM6501VPEZ
MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP
НОВА часть #:
312-2272400-PMCM6501VPEZ
Производитель:
Номер детали производителя:
PMCM6501VPEZ
Стандартный пакет:
4,500
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-WLCSP (1.48x0.98) | |
| Базовый номер продукта | PMCM6501 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29.4 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-XFBGA, WLCSP | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1400 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 556mW (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-2689-1 568-13208-2 1727-2689-2 568-13208-1 568-13208-6 568-13208-2-ND 568-13208-1-ND 1727-2689-6 934068875023 PMCM6501VPEZ-ND 568-13208-6-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
W25X20CLUXIG TRWinbond Electronics
LSF0102YZTRTexas Instruments
TCK206G,LFToshiba Semiconductor and Storage
CSD17484F4TTexas Instruments
XFP236156.250000IRenesas Electronics America Inc
