SUM90N10-8M2P-E3
MOSFET N-CH 100V 90A TO263
НОВА часть #:
312-2283328-SUM90N10-8M2P-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUM90N10-8M2P-E3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SUM90 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6290 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.75W (Ta), 300W (Tc) | |
| Другие имена | SUM90N108M2PE3 SUM90N10-8M2P-E3CT SUM90N10-8M2P-E3DKR SUM90N10-8M2P-E3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
G6K-2F-TR DC12Omron Electronics Inc-EMC Div
BSL606SNH6327XTSA1Infineon Technologies
SUM90P10-19L-E3Vishay Siliconix
SI7994DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SQM120N10-3M8_GE3Vishay Siliconix
- SUM110N10-09-E3Vishay Siliconix
FDB3632onsemi
LT4256-2IS8#PBFAnalog Devices Inc.
MMBT3906LP-7Diodes Incorporated
