BSC020N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2282796-BSC020N03MSGATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC020N03MSGATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-1 | |
| Базовый номер продукта | BSC020 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 124 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9600 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Другие имена | BSC020N03MSGINDKR-ND BSC020N03MSGINTR 2156-BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1DKR BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND BSC020N03MSGATMA1CT BSC020N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC020N03MSGXT BSC020N03MSGINCT BSC020N03MSG BSC020N03MSGINTR-ND BSC020N03MSGINCT-ND BSC020N03MS G BSC020N03MSGATMA1TR SP000311503 IFEINFBSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGINDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC030N03MSGATMA1Infineon Technologies
ZLLS1000TADiodes Incorporated- BSC020N03LSGATMA1Infineon Technologies