VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
НОВА часть #:
312-2276397-VN10KN3-G-P002
Производитель:
Номер детали производителя:
VN10KN3-G-P002
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 | |
| Базовый номер продукта | VN10KN3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 310mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Tc) | |
| Другие имена | VN10KN3-G-P002CT VN10KN3-G-P002DKR VN10KN3-G-P002TR VN10KN3-G-P002DKR-ND VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE VN10KN3-G-P002-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
VN10KC-T1Siliconix
2N7000TAonsemi- 2N7000-D74Zonsemi
VN2222LL-GMicrochip Technology- TN0106N3-GMicrochip Technology
- VN2106N3-GMicrochip Technology
- VN10KN3-GMicrochip Technology
2N7000NTE Electronics, Inc- ZVN3306ADiodes Incorporated
- VN10LPDiodes Incorporated
