TSM650P02CX RFG

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

НОВА часть #:

312-2285542-TSM650P02CX RFG

Производитель:

Номер детали производителя:

TSM650P02CX RFG

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Taiwan Semiconductor Corporation
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23
Базовый номер продукта	TSM650
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	5.1 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±10V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	515 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.56W (Tc)
Другие имена	TSM650P02CX RFGCT TSM650P02CXRFGCT TSM650P02CX RFGDKR TSM650P02CXRFGTR TSM650P02CXRFGDKR TSM650P02CX RFGCT-ND TSM650P02CX RFGDKR-ND TSM650P02CX RFGTR TSM650P02CX RFGTR-ND