IRFH5110TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта	IRFH5110
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11A (Ta), 63A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3152 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
Другие имена	448-IRFH5110TRPBFTR 448-IRFH5110TRPBFCT 448-IRFH5110TRPBFDKR IRFH5110TRPBF-ND SP001560340

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!