IXTN200N10L2
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
НОВА часть #:
312-2263647-IXTN200N10L2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTN200N10L2
Стандартный пакет:
10
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B | |
| Базовый номер продукта | IXTN200 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Linear L2™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 178A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 3mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 540 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-227-4, miniBLOC | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 23000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830W (Tc) | |
| Другие имена | 624413 Q5211084 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTK200N10L2IXYS
AON3611Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IXTN110N20L2IXYS
BSS138LT1Gonsemi
ADA4898-2YRDZ-R7Analog Devices Inc.- IXTN90N25L2IXYS
IXTX90N25L2IXYS
