SQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
НОВА часть #:
312-2290320-SQD25N06-22L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD25N06-22L_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD25 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1975 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 62W (Tc) | |
| Другие имена | SQD25N06-22L-GE3-ND SQD25N06-22L_GE3TR SQD25N06-22L-GE3 SQD25N06-22L_GE3DKR SQD25N06-22L_GE3-ND SQD25N06-22L_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BUK7M22-80EXNexperia USA Inc.
- SQD25N06-22L_T4GE3Vishay Siliconix
- SQSA12CENW-T1_GE3Vishay Siliconix

