CSD18536KTTT

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK

НОВА часть #:

312-2289775-CSD18536KTTT

Производитель:

Номер детали производителя:

CSD18536KTTT

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 60 V 200A (Ta), 349A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Texas Instruments
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DDPAK/TO-263-3
Базовый номер продукта	CSD18536
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	NexFET™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	200A (Ta), 349A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	11430 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	375W (Tc)
Другие имена	296-44122-1 296-44122-2 CSD18536KTTT-ND 296-44122-6