IQE013N04LM6ATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройств поставщика	PG-TSON-8-4
Базовый номер продукта	IQE013
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 51µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3900 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
Другие имена	448-IQE013N04LM6ATMA1CT 448-IQE013N04LM6ATMA1TR 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR SP005340902

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!