BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
НОВА часть #:
312-2280924-BSR802NL6327HTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSR802NL6327HTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SC59-3 | |
| Базовый номер продукта | BSR802 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 2.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3.7A, 2.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 750mV @ 30µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.7 nC @ 2.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1447 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | BSR802NL6327HTSA1CT BSR802NL6327HTSA1DKR BSR802N L6327-ND BSR802N L6327 BSR802N L6327INTR SP000442484 BSR802NL6327HTSA1TR BSR802N L6327INCT BSR802N L6327INDKR-ND BSR802NL6327 BSR802N L6327INDKR BSR802N L6327INTR-ND BSR802N L6327INCT-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSR202NL6327HTSA1Infineon Technologies
JS202011CQNC&K
SI3415A-TPMicro Commercial Co- FDN340Ponsemi
IRLD014PBFVishay Siliconix
SB130-TDiodes Incorporated
FDMA908PZonsemi
BSH103,235Nexperia USA Inc.- T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and Storage
INA181A2QDBVRQ1Texas Instruments
