IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2288445-IRFH5010TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFH5010TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | IRFH5010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4340 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | |
| Другие имена | IRFH5010TRPBF-ND IRFH5010TRPBFCT SP001560282 IRFH5010TRPBFDKR IRFH5010TRPBFTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AP3783RAK6TR-G1Diodes Incorporated
AD7606BSTZAnalog Devices Inc.
1N4148WTDiotec Semiconductor
SIHU6N65E-GE3Vishay Siliconix
IRLH5030TRPBFInfineon Technologies
XA7Z020-1CLG400QXilinx Inc.
DF06S-TDiodes Incorporated
