SQ4080EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
НОВА часть #:
312-2287694-SQ4080EY-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ4080EY-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | SQ4080 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1590 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 7.1W (Tc) | |
| Другие имена | SQ4080EY-T1_GE3DKR SQ4080EY-T1_GE3CT SQ4080EY-T1_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- FDS86240onsemi
- SI4090DY-T1-GE3Vishay Siliconix
- DMN53D0L-7Diodes Incorporated
- IPB065N15N3GATMA1Infineon Technologies





