PSMN2R0-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2290296-PSMN2R0-40YLDX
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN2R0-40YLDX
Стандартный пакет:
1,500
N-Channel 40 V 180A (Ta) 166W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN2R0 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.05V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Schottky Diode (Body) | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6581 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 166W (Ta) | |
| Другие имена | 1727-PSMN2R0-40YLDXDKR 934660738115 1727-PSMN2R0-40YLDXTR 1727-PSMN2R0-40YLDXCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.