SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
НОВА часть #:
312-2291194-SQ4153EY-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ4153EY-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Базовый номер продукта SQ4153
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 25A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 151 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)±8V
Тип полевого транзистораP-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)12 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 11000 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 7.1W (Tc)
Другие именаSQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.