PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
НОВА часть #:
312-2284522-PMV60ENEAR
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV60ENEAR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 3A (Ta) 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | PMV60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 180 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 615mW (Ta), 7.5W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-8667-1 1727-8667-2 934661154215 1727-8667-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- PMEG6030ETPXNexperia USA Inc.
- DMN2004WK-7Diodes Incorporated
- SQJQ980EL-T1_GE3Vishay Siliconix
- PI4MSD5V9548ALEXDiodes Incorporated
- SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- PJA3440_R1_00001Panjit International Inc.
- DMP3125L-7Diodes Incorporated
- SN74LVC1G08MDBVREPTexas Instruments
- BZX84B13-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- SSM3J332R,LFToshiba Semiconductor and Storage
- DNBT8105-7Diodes Incorporated
- SQ2319ADS-T1_GE3Vishay Siliconix











