STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
НОВА часть #:
312-2297904-STB12NM50T4
Производитель:
Номер детали производителя:
STB12NM50T4
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | STB12 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 50µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 550 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 160W (Tc) | |
| Другие имена | 497-5381-6 497-5381-6-ND 497-STB12NM50T4TR 497-5381-2-ND 497-5381-1-ND STB12NM50T4-ND 497-STB12NM50T4DKR 497-STB12NM50T4CT 497-5381-1 497-5381-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.