SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
НОВА часть #:
312-2282078-SISS23DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS23DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS23 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8840 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
| Другие имена | SISS23DN-T1-GE3CT SISS23DN-T1-GE3DKR SISS23DN-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC3026EDD-1#PBFAnalog Devices Inc.
LTC3025EDC-1#TRMPBFAnalog Devices Inc.
SN74CBTLV3257RGYRTexas Instruments
DMP2008UFG-7Diodes Incorporated
MMSS8550-H-TPMicro Commercial Co
MAX811SEUS+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
IQS620A-0-DNRAzoteq (Pty) Ltd
TPS22902BYFPRTexas Instruments
DMG2305UX-7Diodes Incorporated
AON7423Alpha & Omega Semiconductor Inc.- MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated
SIRA00DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LSF0108PWRTexas Instruments
TPS2413PWRTexas Instruments
