STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
НОВА часть #:
312-2263683-STD16N65M5
Производитель:
Номер детали производителя:
STD16N65M5
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | STD16 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ V | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1250 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 90W (Tc) | |
| Другие имена | 497-8774-6 497-8774-1 497-8774-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BZT55C18-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- NTD360N65S3Honsemi
- MSJU11N65-TPMicro Commercial Co
- FCD360N65S3R0onsemi
- TDZ6V2J,115Nexperia USA Inc.
- TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and Storage
- TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and Storage
- ABM8W-16.0000MHZ-7-D1X-T3Abracon LLC
- ES2DAL M3GTaiwan Semiconductor Corporation
- STD18N65M5STMicroelectronics
- TSM70N380CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation
- TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and Storage
- LM4040AIM3-2.0/NOPBTexas Instruments











