SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
НОВА часть #:
312-2263200-SI6423DQ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI6423DQ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSSOP | |
| Базовый номер продукта | SI6423 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 400µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.05W (Ta) | |
| Другие имена | SI6423DQ-T1-GE3CT SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 SI6423DQ-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
1,54320 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AP2280-1FMG-7Diodes Incorporated
SI4421DY-T1-E3Vishay Siliconix
MMBT3904-AU_R1_000A1Panjit International Inc.
LM1117MPX-18NOPBonsemi
SI6423DQ-T1-E3Vishay Siliconix- SI4463BDY-T1-E3Vishay Siliconix
- SI6423ADQ-T1-GE3Vishay Siliconix
DRV8833PWRTexas Instruments
MP2615GQ-PMonolithic Power Systems Inc.
IRF7425TRPBFInfineon Technologies
