PMCM950ENEZ
MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP
НОВА часть #:
312-2298830-PMCM950ENEZ
Производитель:
Номер детали производителя:
PMCM950ENEZ
Стандартный пакет:
4,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 780mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 9-WLCSP (1.48x1.48)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 9-WLCSP (1.48x1.48) | |
| Базовый номер продукта | PMCM950 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 9-XFBGA, WLCSP | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1160 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 780mW (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Другие имена | 934660311023 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated
BZX884-B7V5,315Nexperia USA Inc.
BZT52C12LP-7Diodes Incorporated