DMT15H017LPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
НОВА часть #:
312-2296884-DMT15H017LPS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT15H017LPS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 9.4A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.4A (Ta), 58A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3369 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | 31-DMT15H017LPS-13CT 31-DMT15H017LPS-13TR 31-DMT15H017LPS-13DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
US2MAonsemi
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and Storage
AON6250Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1PGSMA200ZHR3GTaiwan Semiconductor Corporation