STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
НОВА часть #:
312-2290667-STB100N10F7
Производитель:
Номер детали производителя:
STB100N10F7
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | STB100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4369 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | -497-14527-1 497-14527-6 -497-14527-2 497-14527-1 497-14527-2 STB100N10F7-ND -497-14527-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DS1307ZN+T&RAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
BA7818FP-E2Rohm Semiconductor
IRLML0030TRPBFInfineon Technologies- MAX3078EESA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated