SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2287781-SIR836DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR836DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 21A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR836 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 21A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 600 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) | |
| Другие имена | SIR836DP-T1-GE3CT SIR836DPT1GE3 SIR836DP-T1-GE3TR SIR836DP-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
0,85760 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MCP6282T-E/MSMicrochip Technology
SI7463DP-T1-E3Vishay Siliconix
BZX84B36-7-FDiodes Incorporated- BZX84B10-7-FDiodes Incorporated
- TLV431AFTADiodes Incorporated
ACDBA560-HFComchip Technology
LM2936MM-3.3/NOPBTexas Instruments
