IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
НОВА часть #:
312-2285033-IRFHS8342TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFHS8342TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-6 | |
| Базовый номер продукта | IRFHS8342 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.8A (Ta), 19A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.35V @ 25µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 600 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta) | |
| Другие имена | SP001556608 IRFHS8342TRPBFTR IRFHS8342TRPBFDKR IRFHS8342TRPBFCT IRFHS8342TRPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
M24C64-DRDW8TP/KSTMicroelectronics
ZXMN2B01FTADiodes Incorporated
AP1302CSSL00SMGA0-DR1onsemi
BSL806NL6327Infineon Technologies
MP8904DD-LF-ZMonolithic Power Systems Inc.
IRLML2246TRPBFInfineon Technologies
2N7002DWH6327XTSA1Infineon Technologies
INA260AIPWRTexas Instruments
RV2C002UNT2LRohm Semiconductor
DP83867CRRGZRTexas Instruments
