BSC886N03LSGATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC886
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Ta), 65A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2100 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Другие имена	BSC886N03LS GTR-ND BSC886N03LS GDKR-ND BSC886N03LS GCT-ND BSC886N03LSGATMA1CT BSC886N03LS GCT BSC886N03LSGATMA1DKR BSC886N03LS GDKR BSC886N03LS G-ND BSC886N03LSGATMA1TR 2156-BSC886N03LSGATMA1 SP000475950 IFEINFBSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS G BSC886N03LSG

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!