NVATS5A302PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
НОВА часть #:
312-2305071-NVATS5A302PLZT4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVATS5A302PLZT4G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 80A (Ta) 84W (Tc) Surface Mount ATPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | ATPAK | |
| Базовый номер продукта | NVATS5 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.6V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5400 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 84W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ATP304-TL-Honsemi
IPD25DP06LMATMA1Infineon Technologies
SUD50P06-15-BE3Vishay Siliconix
NVATS5A114PLZT4Gonsemi
TJ60S06M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage- TJ60S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor- NVATS5A304PLZT4Gonsemi
- ATP113-TL-Honsemi
- MCU60P06-TPMicro Commercial Co