SI3459BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2290265-SI3459BDV-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3459BDV-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 2.9A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3459 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Tc) | |
| Другие имена | SI3459BDV-T1-E3CT SI3459BDV-T1-E3TR SI3459BDV-T1-E3DKR SI3459BDV-T1-E3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP6110SVT-7Diodes Incorporated
FDC5614Ponsemi
SI3127DV-T1-GE3Vishay Siliconix
ZXMP6A17E6TADiodes Incorporated
RQ6L035ATTCRRohm Semiconductor
RQ6L020SPTCRRohm Semiconductor- SI3459BDV-T1-GE3Vishay Siliconix
