FQB6N80TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

НОВА часть #:

312-2291160-FQB6N80TM

Производитель:

Номер детали производителя:

FQB6N80TM

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FQB6N80
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	800 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1500 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.13W (Ta), 158W (Tc)
Другие имена	FQB6N80TM-ND FQB6N80TMTR FQB6N80TMDKR FQB6N80TMCT