ZXMN2A03E6TA
MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
НОВА часть #:
312-2274604-ZXMN2A03E6TA
Производитель:
Номер детали производителя:
ZXMN2A03E6TA
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-6 | |
| Базовый номер продукта | ZXMN2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 7.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 837 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.1W (Ta) | |
| Другие имена | ZXMN2A03E6DKR ZXMN2A03E6TR ZXMN2A03E6CT ZXMN2A03E6TR-NDR ZXMN2A03E6CT-NDR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC4054ES5-4.2#TRMPBFAnalog Devices Inc.
NTHS5404T1Gonsemi
ZXMN3A03E6TADiodes Incorporated- ZXMN2A01E6TADiodes Incorporated
BSS806NH6327XTSA1Infineon Technologies
ZXMN2A01FTADiodes Incorporated
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.
BSH105,215Nexperia USA Inc.- ZXMN2B03E6TADiodes Incorporated
IRLTS2242TRPBFInfineon Technologies- BSS205NH6327XTSA1Infineon Technologies
