SI4174DY-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4174
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	17A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	985 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Другие имена	SI4174DY-T1-GE3DKR SI4174DYT1GE3 SI4174DY-T1-GE3-ND SI4174DY-T1-GE3TR SI4174DY-T1-GE3CT