SIRA20BDP-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SIRA20
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	+16V, -12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	25 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	9950 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Другие имена	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!