SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
НОВА часть #:
312-2314344-SI2304DS,215
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2304DS,215
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 195 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830mW (Tc) | |
| Другие имена | SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND 568-5957-2 568-5957-1 568-5957-6 934056633215 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ZXMHC6A07T8TADiodes Incorporated
