IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
НОВА часть #:
312-2291240-IPD040N03LGATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD040N03LGATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD040 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3900 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 79W (Tc) | |
| Другие имена | IPD040N03LGINTR IPD040N03LGATMA1CT SP000680628 IPD040N03LG IPD040N03L G INFINFIPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGINDKR-ND 2156-IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGINCT IPD040N03LGATMA1TR IPD040N03LG-ND IPD040N03LGATMA1DKR IPD040N03LGXT IPD040N03LGINTR-ND IPD040N03LGINDKR IPD040N03LGINCT-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRLR7833TRPBFInfineon Technologies