SI4090BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
НОВА часть #:
312-2296312-SI4090BDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4090BDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 12.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3570 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SI4090BDY-T1-GE3DKR 742-SI4090BDY-T1-GE3TR 742-SI4090BDY-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS3682_NLFairchild Semiconductor
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDS3672onsemi
