SIHH27N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
НОВА часть #:
312-2273291-SIHH27N60EF-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHH27N60EF-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Базовый номер продукта | SIHH27 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | E | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 29A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2609 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 202W (Tc) | |
| Другие имена | SIHH27N60EF-T1-GE3TR SIHH27N60EF-T1-GE3DKR SIHH27N60EF-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MAX987EXK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
AO3442Alpha & Omega Semiconductor Inc.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon Technologies
SIHH068N60E-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMC86260onsemi
