NVMFS6H818NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
НОВА часть #:
312-2288718-NVMFS6H818NWFT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMFS6H818NWFT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NVMFS6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Ta), 123A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 190µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3100 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | |
| Другие имена | NVMFS6H818NWFT1G-ND NVMFS6H818NWFT1GOSTR NVMFS6H818NWFT1GOSDKR 2156-NVMFS6H818NWFT1G-OS ONSONSNVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1GOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSS138NH6327XTSA2Infineon Technologies
- NVMFS6H824NLT1Gonsemi
- CSD18532Q5BTexas Instruments




