SI7115DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2281317-SI7115DN-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7115DN-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7115 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1190 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) | |
| Другие имена | SI7115DN-T1-E3-ND SI7115DN-T1-E3CT SI7115DN-T1-E3DKR SI7115DN-T1-E3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.