SQS840EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2290312-SQS840EN-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQS840EN-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта SQS840
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсPowerPAK® 1212-8
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1031 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 33W (Tc)
Другие именаSQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.